| 型号： | DMN2100UDM-7 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| DMN2100UDM-7 PDF |  |
| 产品变化通告 | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图 | SOT-26 Package Top SOT-26 Package Side 1 SOT-26 Package Side 2 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 55 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 555pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | SOT-26 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | DMN2100UDMDITR |